單相交流調(diào)壓模塊MKAC300
公司主要生產(chǎn)銷售各類規(guī)格型號的集成晶閘管智能模塊、整流模塊、可控硅整流模塊、蓄電池充、放電模塊,電鍍電源模塊,勵磁電機調(diào)速模塊,電機限流軟啟動模塊,調(diào)功晶閘管模塊,穩(wěn)流、穩(wěn)壓模塊,固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊,以及配套分體模塊使用的觸發(fā)板、控制板、保護板,以及各種功能的控制柜等二百多種產(chǎn)品, 公司在提供高品質(zhì)晶閘管智能模塊的同時,還提供電力電子其它相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)等方面的服務(wù),可根據(jù)用戶需求進行產(chǎn)品的設(shè)計加工服務(wù)。
可控硅管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極:一層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
單相可控硅為具有三個 PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu),由外層的 P 層、N 層引出兩個電極――陽 極 A 和陰極 K,由中間的P 層引出控制極 G。電路符號好像為一只二極管,但好多一個引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。
從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路, 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路,具有強烈的正反反饋作用。一旦從 G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流,由于正反饋作用,兩管將迅即進入飽合導通狀態(tài)??煽毓鑼ㄖ?,它的導通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋作用來維持,即使控制電流(電壓)消失,可控硅仍處于導通 狀態(tài)??刂菩盘?nbsp;UGK 的作用是觸發(fā)可控硅使其導通,導通之后,控制信號便失去控制 作用。
單相可控硅的導通需要兩個條件:
1) 、A、K 之間加正向電壓;
2) 、G、K 之間輸入一個正向觸發(fā)電流信號,無論是直流或脈沖信號。
若欲使可控硅關(guān)斷,也有兩個關(guān)斷條件:
1) 、使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值;
2) 、使 A、K 之間電壓反向。
可見,單相可控硅器件若用于直流電路,一旦為觸發(fā)信號開通,并保持一定幅度的流通電流 的話,則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次,才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路,則在其承受正向電壓期間,若接受一個觸發(fā)信號,則一直保持導通,直到電壓過零點到 來,因無流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間,即使送入觸發(fā)信號,可控硅也因 A、 K 間電壓反向,而保持于截止狀態(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性,其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導通壓降,很難有統(tǒng)一的標 1 準??煽毓杵骷刂票举|(zhì)上如同三極管一樣,為電流控制器件。功率越大,所需觸發(fā)電流也 越大。觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V―3V 左右,觸發(fā)電流為 10mA―幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過 10V,峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1―2V。
單相交流調(diào)壓模塊MKAC300
公司主要生產(chǎn)銷售各類規(guī)格型號的集成晶閘管智能模塊、整流模塊、可控硅整流模塊、蓄電池充、放電模塊,電鍍電源模塊,勵磁電機調(diào)速模塊,電機限流軟啟動模塊,調(diào)功晶閘管模塊,穩(wěn)流、穩(wěn)壓模塊,固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊,以及配套分體模塊使用的觸發(fā)板、控制板、保護板,以及各種功能的控制柜等二百多種產(chǎn)品, 公司在提供高品質(zhì)晶閘管智能模塊的同時,還提供電力電子其它相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)等方面的服務(wù),可根據(jù)用戶需求進行產(chǎn)品的設(shè)計加工服務(wù)。
可控硅管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極:一層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
單相可控硅為具有三個 PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu),由外層的 P 層、N 層引出兩個電極――陽 極 A 和陰極 K,由中間的P 層引出控制極 G。電路符號好像為一只二極管,但好多一個引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。
從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路, 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路,具有強烈的正反反饋作用。一旦從 G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流,由于正反饋作用,兩管將迅即進入飽合導通狀態(tài)??煽毓鑼ㄖ?,它的導通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋作用來維持,即使控制電流(電壓)消失,可控硅仍處于導通 狀態(tài)??刂菩盘?nbsp;UGK 的作用是觸發(fā)可控硅使其導通,導通之后,控制信號便失去控制 作用。
單相可控硅的導通需要兩個條件:
1) 、A、K 之間加正向電壓;
2) 、G、K 之間輸入一個正向觸發(fā)電流信號,無論是直流或脈沖信號。
若欲使可控硅關(guān)斷,也有兩個關(guān)斷條件:
1) 、使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值;
2) 、使 A、K 之間電壓反向。
可見,單相可控硅器件若用于直流電路,一旦為觸發(fā)信號開通,并保持一定幅度的流通電流 的話,則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次,才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路,則在其承受正向電壓期間,若接受一個觸發(fā)信號,則一直保持導通,直到電壓過零點到 來,因無流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間,即使送入觸發(fā)信號,可控硅也因 A、 K 間電壓反向,而保持于截止狀態(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性,其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導通壓降,很難有統(tǒng)一的標 1 準??煽毓杵骷刂票举|(zhì)上如同三極管一樣,為電流控制器件。功率越大,所需觸發(fā)電流也 越大。觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V―3V 左右,觸發(fā)電流為 10mA―幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過 10V,峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1―2V。